延迟内存品质的体现

    在上个世纪就接触电脑DIY的同学应该对Rambus内存还有印象，具有先进串行总线技术的Rambus内存最终只是昙花一现，结果被DDR SDRAM迅速取代。除去价格因素，过高延迟导致的非连续性数据读写效能的低下，是Rambus落败的主要原因。

    从随机存储器原理来说，每个数据的保存是利用晶体管的电容效应来发生作用，而电容本身有充放电的时间，这就不可避免的出现时钟延迟现象。

 权威检测软件CPU-Z中对Timings的诠释

    目前看来，内存的参数主要分为：Timings（基参、主参）与SubTimings（微参、小参）。而CPU-Z中可以体现的主要有：

    Frequency（频率）；

    FSB：DRAM/CPU：DRAM（分频比值）[视Chipset而定]；

    Timings：

    一、CAS#Latency；这是最重要的内存参数之一，通常说明内存参数时把它放到第一位，例如4-3-2-5 500MHz ，表示CL为4。一般设置3可以达到更好的性能，但5或以上能提供更佳的稳定性。

    CAS表示列地址寻址（Column address Strobe or Column address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row address Strobe）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从 CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

    这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。

    二、RAS# to CAS# Delay；这个是说明内存参数时排到第二位的数值，例如4-3-2-5 500MHz，表示tRCD为3。

    该参数可以控制内存行地址选通脉冲（RAS，Row address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3或4甚至5、6。同样的，调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上且达到更佳的性能，在内存不稳定时可以尝试提高tRCD 。

    三、RAS# Precharge；这个是说明内存参数时排到第三位的数值，例如4-3-2-5 500MHz，表示tR为2。

    tRP用来设定在另一行能被激活之前RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4甚至5、6。

    四、Cycle Time（Tras）；这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。

    tRAS过长，会严重影响性能。减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。最佳设置通常是越低越好。通常，tRAS应该设为tCL+tRCD+2个时钟周期。例如如果 tCL和tRCD分别为4和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为9。但如果产生内存错误或系统不稳定，就必须提高tRAS值了。

    五、Command Rate；这是内存中最重要的参数，但很多时候它并不在内存时序中存在，更多是把它放在频率后面。

 Intel Chipset主板BIOS中一般默认2T，不会提供Command Rate选项

    说明：选择2T是在混插不同品牌及型号的内存时增加兼容性的一个好办法。不少主板为保证更好的兼容性将其默认设为2T，您可以根据自己手中内存的体制来试着让它尽量工作在1T下。（Intel平台部分主板无法设置1/2T Command Rate模式）

    在SDRAM时代延迟对性能高低的影响非常明显，但随着内存工作频率的提升，到了现在DDR2 SDRAM时代，延迟的作用已经微乎其微了。当然，对于极限玩家冲击超频记录来说，延迟的参数仍是重中之重，因为那几分几毫的差距很可能就是由延迟的不同造成的，这也是极限玩家对低延迟内存趋之若鹜的原因。对于普通用户，延迟的高低在日常应用软件中的影响微乎其微，因此用户在使用DDR2内存中已经没有必要追求低延迟，只要按照标准参数设置即可。

    既然延迟的意义变得这样小，我们还讨论它又有什么用？这有两方面的原因：

    1、超频用户都有追求完美的心理，高频率低延迟的实现不仅能带来更要的性能（可能就高那么一点儿，但是作为OCER会欣喜若狂），也能让玩家充分展现自己的超频技术。
    2、高频率低延迟的内存价格更贵，就像开篇中讨论的DDR2-1200的例子那样，同样都是这个频率，但是延迟低的内存利润要高很多，这也是内存品牌的技术实力体现，同时也是第一点原因中高端玩家需求导致的结果。

    正是由于利润的缘故，同样的DDR2-1200，有了低延迟内存的高价，那么其他高延迟内存如果不提这个参数，不是也能卖到同样的价格么？因此很多卖家在延迟参数方面避而不谈，而大部分消费者对此类参数也是含糊不清，最后多花了冤枉钱。