应用High-K金属栅极技术，Penryn杜绝漏电

　　在此次Intel发布的Penryn处理器中，我们注意到Penryn采用了一个High-K金属栅极技术。从所周知，从90nm工艺开始，漏电问题就一直困扰着芯片的开发，而High-K金属栅极技术，正是为了这一问题而提供的。

　　为了提高在单位面积上所集成的晶体管数量，晶体管间的连线宽度不断被减小，以降低成本并提高性能。但晶体管连线宽度的不断降低最终容易导致体积过小，密度过大，这就会产生晶体管相互之间的 “漏电”问题，一些晶体管有可能在“关闭”状态下仍然是通电的，这样就会带来致命的电路错误。晶体管漏电除了会造成漏电问题之外，还间接导致CPU的核心电压一直无法下降。

　　而为了解决这一问题，Intel在45nm的Penryn处理器中使用了Hafnium(铪，元素周期表中序号72)为基础来制造 High-k材料，由于High-K材料对电子泄漏的阻隔效果比二氧化硅强，因此这种材料对电子泄漏的阻隔效果可以达到传统材料二氧化硅的10倍，电子泄漏基本被阻断，可大幅减少漏电量。而High-K材料与金属栅极的组合，使驱动电流或晶体管性能提高了20%以上。同时，使源极-漏极漏电降低了5倍以上，大幅提高了晶体管的效能。

　　据Intel表示，在45nm融合了高介电薄膜(High-K Dielectrics)材料和金属门电路后，Penryn成功解决了漏电危机和信号延迟的问题。